晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法
发布时间:2011年03月16日
本发明涉及晶体硅太阳能电池领域,尤其是晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法,其方法为:先将晶体硅太阳能扩散时的中心温度调整为为840-850℃,时间调整为30-40min,当二氧化硅沉积时,氮气大流量为20-30SLM,氮气小流量为1000-1400SCCM,氧气干燥为300-500SCCM后,二氧化硅的厚度达到正常。本发明的有益效果是,本发明通过调整工艺,扩散后长生的不良比例得到大幅度降低,二氧化硅的厚度达到正常,从而太阳能电池的效率得到提高。
公开号:101976647A
申请人:常州天合光能有限公司
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